Page 57 - @林口醫研部201912電子報
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⽽主要造成腦瘤難以治療的原因主要為:(1)腫瘤深度通常較深,
不易⽤⼿術清除乾淨;(2)藥物載體於腫瘤區累積濃度過低;(3)藥物
載體無法到腫瘤深處;(4)⾎腦屏障阻礙藥物傳輸,(5)癌細胞之多重
抗藥性。因此,藥物需克服上述的阻礙,才有機會達到更優越的治
療效果。
⼀般之化學藥劑協同熱治療,若對細胞無標靶選擇性,即使使
⽤外部磁場可以將部分磁性藥物載聚集於腦腫瘤附近,仍無法精確
地識別和靶向腫瘤或健康組織。由⽂獻得知,抗表⽪⽣⾧因⼦受體
(anti-epidermal growth factor recepto,EGFR)於⼤多數腦腫瘤細胞上有
過度表達之現象,因此,此研究中,我們使⽤EGFR之單克隆抗體
Cetuximab(CET),藉由其專⼀性結合EGFR作為腫瘤細胞之標靶。
以避免在⼈體內之⾮特異性分佈和⾮靶向加熱,造成腦癌治療期間
之不良副作⽤產⽣。此研究中,我們設計具有雙標靶和磁性加熱可
控藥物釋放奈⽶磁性脂質體(CMNP)(TML-CPT-11-CET),藥物選
擇為⺫前應⽤於惡性腫瘤之化療藥物伊⽴替康Camptosar(CPT-11)。
利⽤CET與磁性粒⼦雙重引導於腫瘤區,再藉由交變磁場(AMF)的影
響下使磁性粒⼦⽣熱後,將觸發CPT-11從脂質體載體釋放,以達到腦
腫瘤治療之藥物精準控制釋放之效果與正⾯之療效。
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