專業人才

張睿達 ,Ph.D.
單位: 長庚大學
現職: 電子工程系 教授
聯絡地址: 333桃園市龜山區文化一路259號
電話: 03-2118800 轉5782 傳真: 03-2118507
E-mail: crd@mail.cgu.edu.tw

研究領域:
  • 半導體元件製程之設計與模擬

工作經歷:
1998/08至2009/07 長庚大學 電子工程系 助理教授
1994/12至1995/07 世界先進積體電路公司 元件工程部 資深工程師
1990/07至1994/12 工研院電子工業研究所 元件工程部 副工程師


學歷:
德州大學奧斯汀分校 電機與電腦工程系 博士
國立交通大學 電子研究所 碩士
國立成功大學 材料工程系 學士


代表論文:

  1. Y. T. Ling, M. J. Huang, R. D. Chang*, and L. Pelaz, “Codiffusion of phosphorus and carbon in preamorphized ultrashallow junctions”, Electrochem. Solid-State Lett. Vol. 15, p. H202, 2012.
  2. C. C. Ma, F. H. Hsieh, Y. W. Wu, and R. D. Chang*, “Experimental and simulation studies of solid-phase crystallization of fluorine-implanted amorphous silicon on silicon dioxide”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 50, p. 091403, 2011.
  3. R. D. Chang* and J. R. Tsai, “Loss of phosphorus due to segregation at Si/SiO2 interfaces: Experiment and modeling”, J. Appl. Phys. Vol. 103, p. 053517, 2008.
  4. R. D. Chang*, J. R. Tsai, and L. W. Ho, "Elucidating the mechanism of transient loss of phosphorus due to interface segregation", Appl. Phys. Lett. Vol. 88, p. 211914, 2006.
  5. R. D. Chang*, P. S. Choi, D. L. Kwong, D. Wristers and P. K. Chu, "Boron segregation in As-implanted Si caused by electric field and transient enhanced diffusion", Appl. Phys. Lett. Vol. 72, p. 1709, 1998.

     


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學會與認證:
IEEE member

目前進行中研究計畫:
雷射退火活化摻雜之製程模擬